電(diàn)子元器件术语集
電(diàn)容器
電(diàn)容器静電(diàn)容量以pF為(wèi)单位，用(yòng)3位数代号表示。前两个数位表示静電(diàn)容量的有(yǒu)效数字，第3个数位表示有(yǒu)效数字后面0的个数。包括小(xiǎo)数点时，小(xiǎo)数点的位置用(yòng)R表示，所有(yǒu)数字均為(wèi)有(yǒu)效数字。
例）"475"＝4,700,000pF＝4.7µF、"4R7"＝4.7pF、"R50"＝0.5pF
電(diàn)容随交流電(diàn)压发生的变化。
電(diàn)容随直流電(diàn)压的变化。
Electromagnetic Compatibility的缩写。兼指EMI、EMS的用(yòng)语。不产(chǎn)生噪音并不受噪音影响。
Electromagnetic Interference的缩写。由于電(diàn)磁现象的干扰波导致電(diàn)子设备发生故障（電(diàn)磁干扰）。部件本身不产(chǎn)生噪音。
Electromagnetic Susceptibility的缩写。由于電(diàn)磁现象的干扰波导致電(diàn)子设备发生故障。不受外来噪音影响。
ESL（等效串联電(diàn)感）＝Equivalent Series Inductance的缩写。在交流電(diàn)路中(zhōng)使用(yòng)電(diàn)容器时的電(diàn)阻成分(fēn)之一。具(jù)有(yǒu)作(zuò)為(wèi)高频區(qū)域中(zhōng)電(diàn)容器内部電(diàn)极線(xiàn)圈的特性。
Equivalent Series Resistance的缩写。在交流電(diàn)路中(zhōng)使用(yòng)電(diàn)容器时的電(diàn)阻成分(fēn)之一。由電(diàn)介质(zhì)及電(diàn)极等损耗引起的電(diàn)阻。
電(diàn)容器静電(diàn)容值根据JIS标准由E数列决定。 *敝司产(chǎn)品目录中(zhōng)有(yǒu)记载"E STANDARD NUMBER"。
E3数列 : 以 1.0, 2.2, 4.7 為(wèi)基数。
E6数列 : 以 1.0, 1.5, 2.2, 3.3, 4.7, 6.8 為(wèi)基数。
E12数列 : 以 1.0, 1.2, 1.5, 1.8, 2.2, 2.7, 3.3, 3.9, 4.7, 5.6, 6.8, 8.2 為(wèi)基数。
静電(diàn)容值=基数（数列值）x10的指数倍。
Surface Mount Device的缩写。称SMT（表面封装(zhuāng)）用(yòng)部件為(wèi)SMD。
Surface Mount Technology的缩写。将電(diàn)子元器件安(ān)装(zhuāng)在印刷基板上的方法之一。在印刷基板表面涂敷焊料，安(ān)装(zhuāng)部件，然后通过回流炉熔化焊料的安(ān)装(zhuāng)方法。
表示施加電(diàn)压时产(chǎn)生的发生极化容易度的值。
通过電(diàn)介质(zhì)及電(diàn)极電(diàn)阻成分(fēn)产(chǎn)生的能(néng)量损失的程度。
指提高焊接性的活化剂，具(jù)有(yǒu)去除氧化膜及导热效果。
将電(diàn)子元器件安(ān)装(zhuāng)在印刷基板上时，在熔炉中(zhōng)熔化涂敷在基板上的焊料并安(ān)装(zhuāng)電(diàn)子元器件的方法。
抑制波动，使電(diàn)压波动平稳。
将称為(wèi)噪声的電(diàn)压变动（交流成分(fēn)）流通到地面并去除。
当在電(diàn)介质(zhì)等中(zhōng)设置電(diàn)极并施加電(diàn)力时，分(fēn)子内的電(diàn)荷分(fēn)為(wèi)正极（＋）和负极（－）的现象。
包含在直流電(diàn)流中(zhōng)的类似交流的脉动成分(fēn)。
有(yǒu)浸渍法和喷流法。把電(diàn)子元件插入或固定在印刷基板上，侵入于熔化焊料里或者用(yòng)喷流焊料焊接的方法。
電(diàn)容器随着环境温度变化，静電(diàn)容量会发生变化，这种变化称為(wèi)温度特性。
主要有(yǒu)CG、CH特性，以氧化钛系、锆酸系的陶瓷介電(diàn)质(zhì)為(wèi)主要原料。静電(diàn)容值随温度，電(diàn)压，时间变化很(hěn)小(xiǎo)，适用(yòng)于需要稳定性的用(yòng)途。与高介電(diàn)常数类材质(zhì)相比，静電(diàn)容值比较小(xiǎo)。
当施加電(diàn)压时产(chǎn)生极化并可(kě)储電(diàn)的物(wù)质(zhì)。
①存储直流電(diàn)（電(diàn)荷）并可(kě)充放電(diàn) ②过载交流（信号成分(fēn)及高频噪声）電(diàn)，切断直流的電(diàn)子元器件。
【相关产(chǎn)品信息】電(diàn)容器
将直流電(diàn)压施加到電(diàn)容器时的電(diàn)阻值。
電(diàn)容随时间发生的变化。
去除直流成分(fēn)，仅通过交流（信号）成分(fēn)。
表示可(kě)存储多(duō)少電(diàn)荷能(néng)力的量。单位為(wèi)法拉（F）。
额定電(diàn)压（耐压）如下表，用(yòng)数字和字母组合的代号表示。
| 额定電(diàn)压 | 4V | 6.3V | 10V | 16V | 25V | 35V | 50V | 100V |
| 代号 | 0G | 0J | 1A | 1C | 1E | 1V | 1H | 2A |
主要有(yǒu)X5R、X7R、X7S特性，以钛酸钡系的陶瓷介電(diàn)质(zhì)為(wèi)主要原料。与温度补偿类材质(zhì)相比，静電(diàn)容值随着温度和電(diàn)压、时间变化幅度大，但可(kě)以实现小(xiǎo)型化与高容值。
