开发背景
随着人工(gōng)智能(néng)（AI）技(jì )术的飞速发展，配备生成AI的智能(néng)手机和人工(gōng)智能(néng)服務(wù)器的需求快速增長(cháng)。此外，随着数据处理(lǐ)技(jì )术的高性能(néng)化，安(ān)装(zhuāng)的元器件数量也在增加。因此，為(wèi)了在有(yǒu)限的基板空间内实现高效的元器件安(ān)装(zhuāng)，对超小(xiǎo)型元器件的需求日益增加。人们对于这些電(diàn)子设备中(zhōng)大量使用(yòng)的MLCC进一步小(xiǎo)型化和高容量化的期望也越来越高，而我们已经开发出能(néng)够满足这些要求的产(chǎn)品。
产(chǎn)品规格
客户可(kě)以根据额定電(diàn)压、工(gōng)作(zuò)温度范围等选择符合要求的产(chǎn)品。
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型号 |
KGM05DR50G476MH |
KGM05DR50E476MH |
KGM05DS60E476MH |
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尺寸 (mm) |
1.0×0.5（T: 0.8Max.） |
1.0×0.5（T: 0.8Max.） |
1.0×0.5（T: 0.8Max.） |
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温度特性 |
X5R（EIA） |
X5R（EIA） |
X6S（EIA） |
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工(gōng)作(zuò)温度范围 |
-55℃ to +85℃ |
-55℃ to +85℃ |
-55℃ to +105℃ |
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静電(diàn)容值 |
47μF |
47μF |
47μF |
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静電(diàn)容值允差 |
M(±20%) |
M(±20%) |
M(±20%) |
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额定電(diàn)压 |
4Vdc |
2.5Vdc |
2.5Vdc |
京瓷在電(diàn)子元器件领域，将继续开发满足市场需求的产(chǎn)品，為(wèi)智能(néng)手机、AI服務(wù)器等设备的小(xiǎo)型化和高性能(néng)化做出贡献。
