Submounts and Subcarriers
京瓷提供用(yòng)于光通信模块的半导體(tǐ)激光二极管和光敏二极管的陶瓷底座。氮化铝与氧化铝这两种材料的底座都可(kě)以提供。可(kě)提供金锡薄膜及制备薄膜電(diàn)阻工(gōng)艺的陶瓷Submount,供激光二极管或者光敏二极管贴装(zhuāng)用(yòng)。
注:文(wén)中(zhōng)所有(yǒu)数据由京瓷测量。
■氮化铝(AIN)Submount
京瓷可(kě)以提供单层与多(duō)次氮化铝基板。
多(duō)层氮化铝基板有(yǒu) 150W/mK 热导率,電(diàn)气地線(xiàn)层嵌入到构造中(zhōng),并有(yǒu)一个精(jīng)密加工(gōng)的台阶。
目前单层的氮化铝基板有(yǒu)三种类型:热导率 170,200,230W/mK.
氮化铝具(jù)有(yǒu)与磷化铟(InP)及砷化镓(GaAs)相近的热膨胀系数。

■跨阻放大器
京瓷提出了使用(yòng)低介電(diàn)损失的氧化铝(Al2O3)多(duō)层陶瓷技(jì )术的集成载板方案。
采用(yòng)腔體(tǐ)结构,差分(fēn)对走線(xiàn)和多(duō)地(GND)、通孔设计,可(kě)搭载光导波,光敏二极管和跨阻抗放大器(TIA)。

嵌入式载板
1 多(duō)层氧化铝陶瓷板(京瓷A473)
低介電(diàn)正切(21 × 10E-4@60GHz)
2 差分(fēn)对走線(xiàn)(32Gbps)× 4ch
3 地線(xiàn)通孔