TO 陶瓷封装(zhuāng)外壳
京瓷开发了相比传统材料,具(jù)有(yǒu)更高热阻,高散热性,高耐压及高载流能(néng)力的新(xīn)型TO 陶瓷封装(zhuāng)外壳。我司产(chǎn)品可(kě)為(wèi)新(xīn)一代功率半导體(tǐ)器件如碳化硅(SiC)提供封装(zhuāng)解决方案,其為(wèi)能(néng)量转换应用(yòng)方面的关键器件。
TO-PKG产(chǎn)品目录(0.1MB)

- TO-254 PKG / TO257 PKG

- TF-TO254 PKG

- TF-TO3P PKG

注释:1.氧化铝陶瓷材料(京瓷A440)
2.電(diàn)镀选项:Ni 電(diàn)镀或 Ni+Au 電(diàn)镀
3.载流能(néng)力定义于引線(xiàn)温度最高80℃
4.高温放置及温度循环试验由京瓷进行测试。
5.通过外观检查及耐压测试规格来判定。
作(zuò)為(wèi)新(xīn)型TO陶瓷陶瓷封装(zhuāng)我司开发及可(kě)提供大规模混合電(diàn)路封装(zhuāng)外壳。
我司可(kě)按照您的要求做定制产(chǎn)品。

由大阪大學(xué)提供(TF-HB PKG)
TF-HB PKG
・ 图号: GMR-B1372
・ 電(diàn)镀: Ni+Au
・ 热沉材料: Cu-W(175W/mk)
・ 芯腔底板材料: Cu
・ 引脚材料: Cu
・ 载流能(néng)力: 50A max.
・ 耐压(DC): 1.5kV min.
・ 温度循环试验: -65℃~+175℃ 1000 cycles